半導體雷射光源可分為三種
邊射型雷射
Edge Emitting Laser
(EEL)
垂直共振腔面射型雷射
Vertical Cavity Surface Emitting Laser
(VCSEL)
光子晶體面射型雷射
Photonic Crystal Surface Emitting Laser
(PCSEL)
| 項目 | EEL | VCSEL | PCSEL | 說明 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 共振腔 | 形成方式 | 晶片劈裂形成 | DBR磊晶形成 | 光子晶體形成 | 晶片劈裂容易損失良率, DBR磊晶成本高 |
| 方向 | 水平 | 垂直 | 水平 | 水平共振腔長度較長 | |
| 長度 | 長 | 短 | 長 | 共振腔長度長才可達到高功率 | |
| 發射 | 方向 | 水平/邊射 | 垂直/面射 | 垂直/面射 | 面射出光容易進行測試, 並有利於小尺寸之模組應用 |
| 張角 | 28度 | 15度 | 1度 | 角度愈小, 後端模組應用愈便利, 光可以傳達到更遠的距離 | |
| 光形 | 橢圓形 | 甜甜圈形 | 圓形 | 圓形較易與後端模組耦合 |